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Memristive properties in GaN HEMTs affected by deep-level traps / João Lucas Lessa Gomes ; sob orientação de Nikolai Andreevitch Sobolev e José Carlos Esteves Duarte Pedro
Autor: Gomes , João Lucas Lessa (1994-)Autor secundário: Sobolev , Nikolai Andreevitch ;Pedro, José Carlos Esteves Duarte (1962-)Autor Institucional (Secundário): Universidade de Aveiro. Departamento de Física.Língua: Inglês.País: Portugal.Publicação: Aveiro : J. Gomes, 2017Descrição: 1 CD-ROMDescrição: V, 50 p. : il., colorTítulo paralelo: Propriedades memristivas em GaN HEMTs afectados por defeitos de níveis profundosAssunto : Engenharia física -- Teses de mestrado // Memristores // Transístores // HistereseCDU: 537.6:621.38(043)Recursos em linha:Formato digital
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Edição impressa e em CD-ROM

Tese de mestrado Engenharia Física Departamento de Física da Universidade de Aveiro 2017


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