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Characterization and modelling of long-term memory effects in GaN HEMTs / José Miguel Alves Faria Gomes ; sob orientação de José Carlos Esteves Duarte Pedro e Pedro Miguel da Silva Cabral
Autor: Gomes , José Miguel Alves FariaAutor secundário: Pedro, José Carlos Esteves Duarte (1962-);Cabral, Pedro Miguel da Silva (1979-)Autor Institucional (Secundário): Universidade de Aveiro. Departamento de Eletrónica, Telecomunicações e Informática .Língua: Inglês.País: Portugal.Publicação: Aveiro : J. Gomes, 2016Descrição: XIII, 92 p. : il. colorDescrição: 1 CD-ROMTítulo paralelo: Caracterização e modelação de efeitos de memória lenta em transístores GaN HEMTAssunto : Engenharia electrónica e telecomunicações -- Teses de mestrado // Amplificadores de potência // TransístoresCDU: 621.38(043)Recursos em linha:Formato digital
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Edição impressa e em CD-ROM

Tese de mestrado Engenharia Eletrónica e Telecomunicaões Departamento de Eletrónica, Telecomunicações e Informática da Universidade de Aveiro 2016


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