Gomes, João Lucas Lessa, 1994-
Memristive properties in GaN HEMTs affected by deep-level traps = Propriedades memristivas em GaN HEMTs afectados por defeitos de níveis profundos / João Lucas Lessa Gomes; sob orientação de Nikolai Andreevitch Sobolev e José Carlos Esteves Duarte Pedro . - Aveiro : J. Gomes, 2017 . - 1 CD-ROM. - V, 50 p. : il., color
Edição impressa e em CD-ROM.
Tese de mestrado: Engenharia Física, Universidade de Aveiro, 2017.

http://hdl.handle.net/10773/23614

Engenharia física--Teses de mestrado
Histerese
Transístores
Memristores

CDU 537.6:621.38(043)