Gomes, José Miguel Alves Faria
Characterization and modelling of long-term memory effects in GaN HEMTs = Caracterização e modelação de efeitos de memória lenta em transístores GaN HEMT / José Miguel Alves Faria Gomes; sob orientação de José Carlos Esteves Duarte Pedro e Pedro Miguel da Silva Cabral . - Aveiro : J. Gomes, 2016 . - XIII, 92 p. : il. color. - 1 CD-ROM
Edição impressa e em CD-ROM.
Tese de mestrado: Engenharia Eletrónica e Telecomunicaões, Universidade de Aveiro, 2016.

http://ria.ua.pt/handle/10773/18456

Engenharia eletrónica e telecomunicações--Teses de mestrado
Transístores
Amplificadores de potência

CDU 621.38(043)